Описание
236 ₽
271 ₽
–13%
236 ₽
271 ₽
–13%
Доставка Маркета
4 ноя, по клику 0 ₽
Москва
4 ноя, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Компоненты и Микросхемы
Магазин
30.1Kзаказов
135подписчиков
4года на Маркете
О товаре
Описание
Наименование прибора: IRF830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Характеристики
Артикул Маркета
4593743708
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
![Транзистор E13009-2, NPN, 400В, 12А, 100Вт [TO-220], аналог MJE13009A, 1 шт.](https://avatars.mds.yandex.net/get-mpic/12352681/2a0000019451b3eec400b93ca20e82c42360/orig)
Цена 372 ₽ вместо
Из-за рубежа
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
