Описание
561 ₽
1 074 ₽
–48%
Осталось 3 шт
561 ₽
1 074 ₽
–48%
Доставка Маркета
5 ноя, по клику 0 ₽
Москва
5 ноя, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Компоненты и Микросхемы
Магазин
30.1Kзаказов
135подписчиков
4года на Маркете
О товаре
Описание
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 200(max) nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 200(max) nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Характеристики
Артикул Маркета
4593723800
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
