Описание
194 ₽
211 ₽
–8%
194 ₽
211 ₽
–8%
Доставка Маркета
5 ноя, по клику 0 ₽
Москва
5 ноя, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Электронные детали
Магазин
9.4Kзаказов
78подписчиков
4года на Маркете
О товаре
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) 100В
• Непрерывный ток коллектора (Ic) 5А
• Рассеивание мощности 65Вт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -65°C до 150°C
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2В при Ic=3А
• Коэффициент усиления DC тока 1000 при Ic=3А
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер100В
Стиль Корпуса Транзистораto-220
Рассеиваемая Мощность65Вт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора5а
DC Усиление Тока hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Вес, г2
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) 100В
• Непрерывный ток коллектора (Ic) 5А
• Рассеивание мощности 65Вт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -65°C до 150°C
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2В при Ic=3А
• Коэффициент усиления DC тока 1000 при Ic=3А
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер100В
Стиль Корпуса Транзистораto-220
Рассеиваемая Мощность65Вт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора5а
DC Усиление Тока hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Вес, г2
Характеристики
Артикул Маркета
4312153557
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
